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Infineon Technologies SPA04N80C3

メーカー:

Infineon Technologies

製造元部品番号:

SPA04N80C3

パッケージ:

TO-220FP-3

RoHS:
データシート:

SPA04N80C3

説明:

MOSFET N-Ch 800V 4A TO220FP-3 CoolMOS C3

ECAD Model:
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製品の技術仕様

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Manufacturer Infineon
Product Category MOSFET
RoHS
Rds On - Drain-Source Resistance 1.1 Ohms
Rise Time 15 ns
Fall Time 12 ns
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 38 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220FP-3
Length 10.65 mm
Width 4.85 mm
Height 16.15 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series CoolMOS C3
Packaging Tube
Part # Aliases SP000216300 SPA04N80C3XKSA1 SPA4N8C3XK
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 2.1 V
Qg - Gate Charge 31 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 4 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Typical Turn-Off Delay Time 72 ns
Typical Turn-On Delay Time 25 ns
Factory Pack Quantity 500
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.211644 oz
Tradename CoolMOS
Manufacturer,Drain-source breakdown voltage,FET类型,工作温度(Tj),Type of installation,功率(Max),漏极电流Id(连续)(Max),search for,Package,On Resistance - Max,Drain current,连续漏极电流Id@25℃,FET configuration,Channel Type,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Gate Type,Features,Driven Configuration,Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,漏极电流Idss,品牌,原产国家,引线数量,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),零件状态,是否无铅,存储温度,元件生命周期,漏源极电压(Vdss),Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Package/Temperature,Pt,VCES,VCE(sat)(Typ.),IC(Max.)(A),导通电阻Rds On(Max),漏源电压(Vdss),输入电容(Ciss)(Max),栅极电荷(Qg)(Max),Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
Infineon,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,,,,1.1 Ohms,15 ns,12 ns,38 W,,MOSFET,1 Channel,,TO-220FP-3,- 55 C,,CoolMOS C3,SP000216300 SPA04N80C3XKSA1 SPA4N8C3XK,N-Channel,1 N-Channel,20 V,2.1 V,31 nC,Si,4 A,800 V,72 ns,25 ns,MOSFETs,0.211644 oz,CoolMOS,
757054
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=757054&N=
$
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